MJ10009 Solid State Inc.


MJ10008-ssi.pdf
Виробник: Solid State Inc.
Description: TRANS NPN DARL 500V 20A TO3
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40A @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+776.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ10009 Solid State Inc.

Description: TRANS NPN DARL 500V 20A TO3, Power - Max: 175 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40A @ 5A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 20A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MJ10009

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJ10009 MJ10009 NTE Electronics, Inc MJ10009.pdf Description: TRANS NPN DARL 500V 20A TO3
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ10009 MJ10009.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN DARL 500V 20A TO3
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.