MJ11012G


mj11012-d.pdf
Код товару: 124424
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJ11012G за ціною від 257.99 грн до 885.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G onsemi mj11012-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.33 грн
10+414.94 грн
100+308.05 грн
500+257.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+885.91 грн
25+674.35 грн
100+477.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G onsemi mj11012-d.pdf Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+543.23 грн
100+516.30 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+627.33 грн
10+414.94 грн
100+308.05 грн
500+257.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+885.91 грн
25+674.35 грн
100+477.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G mj11012-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.