
MJ11012G ON Semiconductor
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 407.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11012G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MJ11012G за ціною від 301.78 грн до 734.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJ11012G Код товару: 124424
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
MJ11012G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |