MJ11012G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 597.16 грн |
| 10+ | 519.25 грн |
| 25+ | 495.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11012G onsemi
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MJ11012G за ціною від 292.45 грн до 631.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11012G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN |
на замовлення 138 шт: термін постачання 110-119 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ11012G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJ11012G Код товару: 124424 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJ11012G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJ11012G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3 Mounting: THT Case: TO3 Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 30A Type of transistor: NPN Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ11012G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3 Mounting: THT Case: TO3 Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 30A Type of transistor: NPN Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington |
товар відсутній |