MJ11012G

MJ11012G ON Semiconductor


mj11012-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+407.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11012G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції MJ11012G за ціною від 301.78 грн до 734.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+484.84 грн
100+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+484.84 грн
100+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+484.84 грн
100+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+484.84 грн
100+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+484.84 грн
100+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+553.81 грн
25+522.16 грн
100+488.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : onsemi mj11012-d.pdf Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.87 грн
10+454.07 грн
50+386.04 грн
100+350.81 грн
200+318.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+704.74 грн
5+646.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : onsemi mj11012-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.35 грн
10+485.37 грн
25+426.89 грн
100+338.16 грн
300+301.94 грн
500+301.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G
Код товару: 124424
Додати до обраних Обраний товар

mj11012-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G MJ11012G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11012G Виробник : ONSEMI mj11012-d.pdf MJ11012G NPN THT Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.