Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJ11012G за ціною від 257.99 грн до 885.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ11012G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MJ11012G | onsemi |
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MJ11012G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 543.23 грн |
| 100+ | 516.30 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 543.23 грн |
| 100+ | 516.30 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 543.23 грн |
| 100+ | 516.30 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 543.23 грн |
| 100+ | 516.30 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 543.23 грн |
| 100+ | 516.30 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 627.33 грн |
| 10+ | 414.94 грн |
| 100+ | 308.05 грн |
| 500+ | 257.99 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 885.91 грн |
| 25+ | 674.35 грн |
| 100+ | 477.11 грн |
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJ11012G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





