Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11015G
- DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
- No. of Pins:2
- Av Current Ic:30A
- Case Style:TO-3
- Current Ic hFE:20A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:30A
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Max Voltage Vce Sat:-3V
- Min Gain Bandwidth ft:4MHz
- Min Hfe:1000
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:200W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Voltage Vcbo:120V
Інші пропозиції MJ11015G за ціною від 260.11 грн до 635.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11015G | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJ11015G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, TO-3, Uceo=120V, Ic=30A, hFE=1000, Pb-Free, -55...+200 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |