MJ11015G ON Semiconductor
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 495.93 грн |
| 27+ | 468.11 грн |
| 100+ | 437.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11015G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ11015G за ціною від 277.53 грн до 865.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11015G | Виробник : onsemi |
 Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ11015G Код товару: 36727
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJ11015G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |