Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJ11015G
MJ11015G

MJ11015G

mj11012-d.pdf
Код товару: 36727
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11015G

  • DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
  • No. of Pins:2
  • Av Current Ic:30A
  • Case Style:TO-3
  • Current Ic hFE:20A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:30A
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:-3V
  • Min Gain Bandwidth ft:4MHz
  • Min Hfe:1000
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Voltage Vcbo:120V

Інші пропозиції MJ11015G за ціною від 294.78 грн до 839.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJ11015G MJ11015G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.40 грн
2+465.34 грн
5+422.13 грн
10+399.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+537.47 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.47 грн
5+536.39 грн
10+444.58 грн
50+374.68 грн
100+316.87 грн
250+294.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.16 грн
10+416.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.02 грн
10+439.97 грн
100+327.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+839.39 грн
26+560.33 грн
100+491.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description MJ11015.PDF
MJ11015G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+524.40 грн
2+465.34 грн
5+422.13 грн
10+399.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
66+537.47 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11015G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+577.47 грн
5+536.39 грн
10+444.58 грн
50+374.68 грн
100+316.87 грн
250+294.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+591.16 грн
10+416.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+664.02 грн
10+439.97 грн
100+327.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+839.39 грн
26+560.33 грн
100+491.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.