Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJ11015G
MJ11015G

MJ11015G

mj11012-d.pdf
Код товару: 36727
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11015G

  • DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
  • No. of Pins:2
  • Av Current Ic:30A
  • Case Style:TO-3
  • Current Ic hFE:20A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:30A
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:-3V
  • Min Gain Bandwidth ft:4MHz
  • Min Hfe:1000
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Voltage Vcbo:120V

Інші пропозиції MJ11015G за ціною від 278.26 грн до 93773.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+536.27 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.14 грн
10+470.38 грн
100+349.91 грн
500+280.27 грн
1000+278.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+830.86 грн
25+632.30 грн
100+595.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+93773.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G MJ11015G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012d.pdf
MJ11015G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+536.27 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+710.14 грн
10+470.38 грн
100+349.91 грн
500+280.27 грн
1000+278.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012d.pdf
MJ11015G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+830.86 грн
25+632.30 грн
100+595.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012d.pdf
MJ11015G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+93773.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description mj11012-d.pdf
MJ11015G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11015G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11015G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.