Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJ11016G

MJ11016G

mj11012-d.pdf
Код товару: 173223
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11016G

  • DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
  • No. of Pins:2
  • SVHC:No SVHC
  • Alternate Case Style:TO-204AA
  • Av Current Ic:30A
  • Case Style:TO-3
  • Current Ic hFE:20A
  • Device Marking:MJ11016
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:30A
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Min Gain Bandwidth ft:4MHz
  • Min Hfe:1000
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Voltage Vcbo:120V

Інші пропозиції MJ11016G за ціною від 194.20 грн до 521.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJ11016G MJ11016G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.71 грн
5+350.67 грн
10+309.12 грн
20+267.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.02 грн
10+333.77 грн
100+243.95 грн
500+194.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+521.41 грн
50+382.45 грн
100+339.08 грн
300+323.76 грн
500+298.79 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G onsemi mj11012-d.pdf description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G ON-Semiconductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3+468.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G ON-Semiconductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+468.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description MJ11015.PDF
MJ11016G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+394.71 грн
5+350.67 грн
10+309.12 грн
20+267.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+511.02 грн
10+333.77 грн
100+243.95 грн
500+194.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+521.41 грн
50+382.45 грн
100+339.08 грн
300+323.76 грн
500+298.79 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11016G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description mj11012-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+468.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G description mj11012-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+468.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.