Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJ11016G
MJ11016G

MJ11016G ON Semiconductor

mj11012d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+271.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11016G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJ11016G за ціною від 177.70 грн до 482.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJ11016G MJ11016G Виробник : ON Semiconductor mj11012d.pdf Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+288.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.83 грн
5+261.34 грн
10+255.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.79 грн
5+325.68 грн
10+306.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : onsemi MJ11012-D.PDF Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.05 грн
10+290.27 грн
100+190.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.70 грн
10+336.89 грн
100+271.21 грн
500+247.09 грн
1000+222.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : onsemi mj11012-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.76 грн
10+313.53 грн
100+227.83 грн
500+179.52 грн
1000+177.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ON Semiconductor mj11012d.pdf Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G Виробник : ON-Semicoductor mj11012-d.pdf Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+435.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G Виробник : ON-Semicoductor mj11012-d.pdf Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+435.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G
Код товару: 173223
Додати до обраних Обраний товар

mj11012-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ON Semiconductor mj11012d.pdf Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ON Semiconductor mj11012d.pdf Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11016G MJ11016G Виробник : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.