
MJ11028G ON Semiconductor
на замовлення 40400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 1282.08 грн |
25+ | 1256.72 грн |
100+ | 1204.99 грн |
500+ | 1113.05 грн |
1000+ | 972.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11028G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11028G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 18hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ11028G за ціною від 778.06 грн до 1521.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 18hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
MJ11028G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJ11028G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |