MJ14002G ON Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 1849.50 грн |
| 10+ | 1830.86 грн |
| 26+ | 1583.94 грн |
| 50+ | 1387.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ14002G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 60A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції MJ14002G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ14002G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
MJ14002G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 60A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|
| MJ14002G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60A 80V 300W NPN |
товару немає в наявності |
||
| MJ14002G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 60A; 300W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3; TO204 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |

