MJ15016G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 488.40 грн |
| 50+ | 440.19 грн |
| 100+ | 416.01 грн |
| 300+ | 377.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ15016G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 18MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJ15016G за ціною від 340.29 грн до 587.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ15016G | onsemi |
 Description: TRANS PNP 120V 15A TO204Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 18MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray Power - Max: 115 W |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
MJ15016G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MJ15016G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 18MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
MJ15016G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 120V 180W PNP |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJ15016G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 15A TO204
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 18MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Power - Max: 115 W
Description: TRANS PNP 120V 15A TO204
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 18MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Power - Max: 115 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 520.34 грн |
| 10+ | 340.29 грн |
| MJ15016G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 587.14 грн |
| 32+ | 444.00 грн |
| MJ15016G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 18MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 18MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)