MJ21193G ON Semiconductor
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 435.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ21193G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 16A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ21193G за ціною від 263.58 грн до 853.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 5395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ21193G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ21193G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 16A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJ21193G | Виробник : ONSEMI |
MJ21193G PNP THT transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ21193G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ21193G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W PNP |
товару немає в наявності |