Продукція > ONSEMI > MJ21196G
MJ21196G
  • MJ21196G
  • MJ21196G

MJ21196G ONSEMI

mj21195-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Kind of package: in-tray
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.43 грн
10+424.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ21196G ONSEMI

Description: TRANS NPN 250V 16A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції MJ21196G за ціною від 249.65 грн до 641.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJ21196G MJ21196G Виробник : ON Semiconductor mj21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+468.94 грн
100+445.28 грн
500+421.62 грн
1000+384.78 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G MJ21196G Виробник : ON Semiconductor mj21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+468.94 грн
100+445.28 грн
500+421.62 грн
1000+384.78 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G MJ21196G Виробник : onsemi mj21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.75 грн
10+406.22 грн
100+300.74 грн
500+249.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G MJ21196G Виробник : onsemi MJ21195-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.81 грн
10+396.90 грн
100+258.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G Виробник : ONSEMI ONSMS36330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+414.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G MJ21196G Виробник : ON Semiconductor mj21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G MJ21196G Виробник : ON Semiconductor mj21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ21196G Виробник : On Semiconductor MJ21195-D.pdf NPN, Uкэ=250V, Iк=16A, 250Вт, TO-204AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.