MJ21196G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 537.92 грн |
| 100+ | 510.77 грн |
| 500+ | 483.63 грн |
| 1000+ | 441.37 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
69 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ21196G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 250V 16A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції MJ21196G за ціною від 284.67 грн до 724.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJ21196G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 4302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MJ21196G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN |
на замовлення 3308 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJ21196G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 16A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| MJ21196G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 16169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJ21196G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 537.92 грн |
| 100+ | 510.77 грн |
| 500+ | 483.63 грн |
| 1000+ | 441.37 грн |
| MJ21196G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 708.87 грн |
| 10+ | 458.25 грн |
| 100+ | 329.27 грн |
| MJ21196G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
Description: TRANS NPN 250V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 724.24 грн |
| 10+ | 479.15 грн |
| 100+ | 355.83 грн |
| 500+ | 284.67 грн |
| MJ21196G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




