MJ802G

MJ802G onsemi


mj802-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.48 грн
10+ 399.82 грн
25+ 372.38 грн
100+ 312.67 грн
300+ 294.28 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ802G onsemi

Description: TRANS NPN 90V 30A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції MJ802G за ціною від 243.4 грн до 526.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJ802G MJ802G Виробник : onsemi MJ802_D-2315845.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.37 грн
10+ 414.17 грн
100+ 321.89 грн
200+ 284.29 грн
600+ 255.93 грн
1200+ 243.4 грн
MJ802G MJ802G
Код товару: 117194
mj802-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
товар відсутній
MJ802G
+1
MJ802G Виробник : ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJ802G
+1
MJ802G Виробник : ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
товар відсутній