MJ802G ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 321.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ802G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ802G за ціною від 258.37 грн до 650.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJ802G | Виробник : ONSEMI |
MJ802G NPN THT transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
MJ802G Код товару: 117194
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |