Продукція > ONSEMI > MJ802G
MJ802G
  • MJ802G
  • MJ802G

MJ802G ONSEMI

mj802-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.16 грн
5+342.84 грн
10+337.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ802G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJ802G за ціною від 244.09 грн до 640.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJ802G
+1
 		MJ802G Виробник : ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.00 грн
5+427.23 грн
10+404.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+313.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+321.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+336.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+343.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : onsemi MJ802-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.41 грн
10+402.15 грн
100+260.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+608.51 грн
5+529.03 грн
10+449.55 грн
50+377.76 грн
100+312.07 грн
250+305.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : onsemi mj802-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.98 грн
10+403.63 грн
100+297.69 грн
500+244.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+640.16 грн
50+452.27 грн
100+363.18 грн
300+348.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G
Код товару: 117194
Додати до обраних Обраний товар

mj802-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.