MJ802G
  • MJ802G
  • MJ802G

MJ802G ONSEMI


mj802-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+525.08 грн
3+ 337.55 грн
7+ 319.16 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ802G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJ802G за ціною від 250.68 грн до 630.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJ802G
+1
MJ802G Виробник : ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+630.1 грн
3+ 420.64 грн
7+ 382.99 грн
MJ802G MJ802G Виробник : onsemi mj802-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.98 грн
10+ 411.72 грн
25+ 383.44 грн
100+ 321.96 грн
300+ 303.02 грн
MJ802G MJ802G Виробник : onsemi MJ802_D-2315845.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.13 грн
10+ 426.57 грн
50+ 364.81 грн
100+ 331.53 грн
200+ 292.8 грн
600+ 269.02 грн
1200+ 250.68 грн
MJ802G MJ802G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+579.96 грн
5+ 502.22 грн
10+ 424.49 грн
50+ 353.12 грн
100+ 287.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJ802G MJ802G
Код товару: 117194
mj802-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
MJ802G MJ802G Виробник : ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній