MJ802G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 483.9 грн |
| 3+ | 348.18 грн |
| 7+ | 329.12 грн |
| 50+ | 322.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ802G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJ802G за ціною від 259.66 грн до 590.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G Код товару: 117194 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |