MJ802G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 484.48 грн |
10+ | 399.82 грн |
25+ | 372.38 грн |
100+ | 312.67 грн |
300+ | 294.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ802G onsemi
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції MJ802G за ціною від 243.4 грн до 526.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJ802G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJ802G Код товару: 117194 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
товар відсутній |
||||||||||||||||
+1 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
+1 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz |
товар відсутній |