MJB41CT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 42.38 грн |
| 1600+ | 37.58 грн |
| 2400+ | 35.93 грн |
| 4000+ | 31.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB41CT4G onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції MJB41CT4G за ціною від 31.72 грн до 132.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB41CT4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN |
на замовлення 3822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 700µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 5188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJB41CT4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.57 грн |
| 10+ | 85.92 грн |
| 100+ | 50.54 грн |
| 500+ | 36.72 грн |
| 800+ | 32.84 грн |
| 2400+ | 31.72 грн |
| MJB41CT4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.42 грн |
| 10+ | 81.01 грн |
| 100+ | 54.66 грн |