MJB41CT4G ON Semiconductor
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 44.28 грн |
| 1600+ | 39.38 грн |
| 2400+ | 38.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB41CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJB41CT4G за ціною від 34.54 грн до 147.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB41CT4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJB41CT4G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |