Продукція > ONSEMI > MJB41CT4G
MJB41CT4G

MJB41CT4G onsemi

mjb41c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.72 грн
1600+36.99 грн
2400+35.37 грн
4000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB41CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJB41CT4G за ціною від 31.22 грн до 144.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : onsemi MJB41C_D-1811453.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.52 грн
10+84.58 грн
100+49.75 грн
500+36.15 грн
800+32.33 грн
2400+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.35 грн
10+79.75 грн
100+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.09 грн
10+95.52 грн
50+80.14 грн
100+60.06 грн
250+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G Виробник : On Semiconductor mjb41c-d.pdf TRANS NPN 100V 6A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G Виробник : ON Semiconductor MJB41C-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.