Продукція > ONSEMI > MJB41CT4G
MJB41CT4G

MJB41CT4G onsemi

mjb41c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.90 грн
1600+37.15 грн
2400+35.52 грн
4000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB41CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A.

Інші пропозиції MJB41CT4G за ціною від 48.64 грн до 135.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJB41CT4G MJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.08 грн
100+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.47 грн
10+81.35 грн
100+55.35 грн
200+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G onsemi MJB41C_D-1811453.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G mjb41c-d.pdf
MJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G mjb41c-d.pdf
MJB41CT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G mjb41c-d.pdf
MJB41CT4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.90 грн
10+80.08 грн
100+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G mjb41c-d.pdf
MJB41CT4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.47 грн
10+81.35 грн
100+55.35 грн
200+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G MJB41C_D-1811453.pdf
MJB41CT4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB41CT4G ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJB41CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.