MJB42CT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 40.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB42CT4G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: D²PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції MJB42CT4G за ціною від 27.84 грн до 75.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJB42CT4G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |