Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJB42CT4G
MJB42CT4G

MJB42CT4G ON Semiconductor

mjb41c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB42CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJB42CT4G за ціною від 34.05 грн до 127.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.33 грн
1600+35.66 грн
2400+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ONSEMI 1750581.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.73 грн
250+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+88.73 грн
10+74.34 грн
25+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ONSEMI 86126.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.85 грн
13+70.64 грн
50+63.17 грн
100+51.73 грн
250+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi MJB41C_D-2315688.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.23 грн
10+73.21 грн
100+51.57 грн
500+51.49 грн
800+35.58 грн
2400+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.46 грн
10+78.19 грн
100+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G Виробник : ON mjb41c-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.