Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJB42CT4G
MJB42CT4G

MJB42CT4G ON Semiconductor

mjb41c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB42CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJB42CT4G за ціною від 32.23 грн до 125.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.92 грн
1600+34.43 грн
2400+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi MJB41C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.75 грн
10+76.68 грн
100+45.88 грн
500+44.04 грн
800+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.67 грн
10+75.45 грн
100+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ONSEMI mjb41c-d.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.67 грн
11+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ONSEMI mjb41c-d.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G Виробник : ON mjb41c-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G Виробник : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G Виробник : ONSEMI mjb41c-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.