Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJB44H11G транзистор

MJB44H11G транзистор

Код товару: 58814
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJB44H11G транзистор за ціною від 41.34 грн до 140.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJB44H11G MJB44H11G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.48 грн
100+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.77 грн
50+65.32 грн
100+58.50 грн
500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G ON-Semiconductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G ON-Semiconductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
269+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+62.48 грн
100+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.77 грн
50+65.32 грн
100+58.50 грн
500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJB44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.