Інші пропозиції MJB44H11G транзистор за ціною від 33.96 грн до 159.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
на замовлення 6786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MJB44H11G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MJB44H11G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| MJB44H11G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
товару немає в наявності |