MJB44H11G ON Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 900+ | 85.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB44H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJB44H11G за ціною від 35.49 грн до 150.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB44H11G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
на замовлення 9868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 7791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJB44H11G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MJB44H11G транзистор Код товару: 58814
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJB44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJB44H11G | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |