Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJB44H11G
MJB44H11G

MJB44H11G ON Semiconductor

mjb44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+58.43 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB44H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJB44H11G за ціною від 40.66 грн до 167.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.70 грн
50+67.20 грн
100+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : onsemi MJB44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.06 грн
10+69.49 грн
100+57.92 грн
500+51.08 грн
1000+42.71 грн
3000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.11 грн
12+75.46 грн
100+72.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G Виробник : ON-Semicoductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G Виробник : ON-Semicoductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
269+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.