Продукція > STMICROELECTRONICS > MJB44H11T4-A
MJB44H11T4-A

MJB44H11T4-A STMicroelectronics

2432dm00116400.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.79 грн
5000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB44H11T4-A STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJB44H11T4-A за ціною від 30.51 грн до 137.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.57 грн
5000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00116400.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.71 грн
11+82.69 грн
100+58.05 грн
500+43.67 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics en.DM00116400.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.12 грн
10+77.11 грн
100+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics en.DM00116400.pdf Digital Transistors Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.89 грн
10+86.88 грн
100+50.31 грн
500+39.69 грн
1000+36.18 грн
2000+31.86 грн
5000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics 2432dm00116400.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics en.DM00116400.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A Виробник : STMicroelectronics mjb44h11t4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.