MJB44H11T4-A STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 34.68 грн |
| 5000+ | 33.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB44H11T4-A STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJB44H11T4-A за ціною від 31.27 грн до 139.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4-A | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Digital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| MJB44H11T4-A | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |