MJB44H11T4
Виробник:
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB44H11T4
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 50 W.
Інші пропозиції MJB44H11T4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB44H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MJB44H11T4 | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MJB44H11T4 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJB44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJB44H11T4 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJB44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
Bipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.