Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJB44H11T4G
MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON Semiconductor

mjb44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 40.96 грн до 151.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.93 грн
1600+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.86 грн
250+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.50 грн
158+77.71 грн
204+59.82 грн
250+55.60 грн
500+48.72 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+105.82 грн
10+72.89 грн
25+72.16 грн
100+53.56 грн
250+47.81 грн
500+43.43 грн
1000+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.84 грн
10+86.65 грн
50+73.95 грн
100+56.86 грн
250+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.20 грн
10+93.03 грн
100+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.92 грн
10+97.29 грн
100+58.63 грн
500+57.46 грн
800+43.99 грн
2400+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : Aptina Imaging mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.53 грн
1600+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ON mjb44h11-d.pdf 09+ SOP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : Infineon Technologies mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.