MJB44H11T4G ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 39.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB44H11T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 34.55 грн до 117.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 14534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB44H11T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJB44H11T4G | Виробник : ON |
09+ SOP |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJB44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 11860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |