MJB45H11G ON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 48.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJB45H11G за ціною від 37.80 грн до 161.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB45H11G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB45H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
на замовлення 9584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJB45H11G |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MJB45H11G Код товару: 105006
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |