Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJB45H11G за ціною від 33.27 грн до 144.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJB45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJB45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJB45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MJB45H11G |
|
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJB45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.80 грн |
| 50+ | 62.57 грн |
| 100+ | 56.01 грн |
| MJB45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.26 грн |
| 10+ | 52.36 грн |
| 100+ | 41.23 грн |
| 500+ | 33.34 грн |
| 1000+ | 33.27 грн |
| MJB45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.72 грн |
| 12+ | 69.90 грн |
| 100+ | 67.10 грн |
| 500+ | 61.39 грн |





