Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJB45H11G
MJB45H11G

MJB45H11G ON Semiconductor

mjb44h11-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJB45H11G за ціною від 32.91 грн до 156.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.35 грн
50+61.89 грн
100+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : onsemi MJB44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.73 грн
10+51.80 грн
100+40.79 грн
500+32.98 грн
1000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.99 грн
14+58.65 грн
100+53.04 грн
500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G mjb44h11-d.pdf
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G
Код товару: 105006
Додати до обраних Обраний товар
mjb44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11G MJB45H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.