Продукція > ONSEMI > MJB45H11T4G
MJB45H11T4G

MJB45H11T4G onsemi

mjb44h11-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+40.07 грн
1600+35.51 грн
2400+33.95 грн
4000+30.21 грн
5600+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB45H11T4G onsemi

Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції MJB45H11T4G за ціною від 33.20 грн до 124.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJB45H11T4G MJB45H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.33 грн
10+77.63 грн
100+50.21 грн
500+36.16 грн
800+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4G MJB45H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.78 грн
100+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4G ONN mjb44h11-d.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB45H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.33 грн
10+77.63 грн
100+50.21 грн
500+36.16 грн
800+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB45H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.76 грн
10+76.78 грн
100+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.