MJD112-1G ON Semiconductor
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 75+ | 32.09 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023). 
Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 28.48 грн до 125.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 150169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 15444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 44108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 26950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 18450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 18450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 43200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Kind of transistor: Darlington Case: IPAK Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.75W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 100...12000 Polarisation: bipolar  | 
        
                             на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Kind of transistor: Darlington Case: IPAK Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.75W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 100...12000 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W  | 
        
                             на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| 
             | 
        MJD112-1G | Виробник : onsemi | 
            
                         Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN         | 
        
                             на замовлення 617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        MJD112-1G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023)  | 
        
                             на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||||||
| MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        




