MJD112-1G ON Semiconductor


mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 392 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 36.91 грн до 120.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+39.65 грн
150+38.84 грн
525+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
на замовлення 218178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 31883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 143469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
100000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.06 грн
10+49.65 грн
25+45.29 грн
75+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 42150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.04 грн
300+73.38 грн
1050+57.44 грн
2550+50.29 грн
5025+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.90 грн
21+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+39.65 грн
150+38.84 грн
525+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
на замовлення 218178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
457+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 31883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 143469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.67 грн
1000+51.34 грн
10000+45.78 грн
100000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.06 грн
10+49.65 грн
25+45.29 грн
75+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 42150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+112.04 грн
300+73.38 грн
1050+57.44 грн
2550+50.29 грн
5025+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.90 грн
21+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.