Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor

2477mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 28.67 грн до 127.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 244753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.64 грн
75+36.04 грн
150+35.68 грн
525+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+45.23 грн
274+44.77 грн
525+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.26 грн
268+45.79 грн
525+39.01 грн
1050+34.59 грн
2025+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+48.02 грн
1000+44.28 грн
10000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+49.44 грн
150+48.95 грн
525+41.71 грн
1050+36.97 грн
2025+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 44108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+53.36 грн
510+48.02 грн
1000+44.28 грн
10000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+53.36 грн
510+48.02 грн
1000+44.28 грн
10000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+53.36 грн
510+48.02 грн
1000+44.28 грн
10000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+76.25 грн
167+73.60 грн
300+68.32 грн
600+54.27 грн
1200+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.66 грн
10+54.08 грн
21+44.96 грн
57+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.13 грн
10+58.23 грн
75+42.03 грн
525+35.99 грн
1050+28.98 грн
2475+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.99 грн
10+67.39 грн
21+53.95 грн
57+51.03 грн
150+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.