Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 26.80 грн до 115.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+43.41 грн
150+42.49 грн
525+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
100000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 37433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.56 грн
300+51.04 грн
1050+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.71 грн
10+61.09 грн
25+52.72 грн
75+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.36 грн
75+45.42 грн
150+40.65 грн
525+31.77 грн
1050+29.01 грн
2025+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+115.85 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+43.41 грн
150+42.49 грн
525+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
100000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 37433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+58.56 грн
300+51.04 грн
1050+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.71 грн
10+61.09 грн
25+52.72 грн
75+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.36 грн
75+45.42 грн
150+40.65 грн
525+31.77 грн
1050+29.01 грн
2025+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+115.85 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.