MJD112-1G ON Semiconductor
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 30.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 28.10 грн до 108.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD112-1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 244753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 150169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 26950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 15444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 51758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: IPAK Mounting: THT Current gain: 100...12000 |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: IPAK Mounting: THT Current gain: 100...12000 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112-1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112-1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MJD112-1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
MJD112-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |