Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor

2477mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 29.24 грн до 124.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.08 грн
18+39.78 грн
75+36.77 грн
525+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+48.95 грн
1000+45.14 грн
10000+40.25 грн
100000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+48.95 грн
1000+45.14 грн
10000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+48.95 грн
1000+45.14 грн
10000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 44108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+48.95 грн
1000+45.14 грн
10000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+51.14 грн
525+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+54.79 грн
525+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+65.27 грн
300+56.49 грн
1050+44.64 грн
2550+40.93 грн
5025+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.80 грн
10+46.34 грн
25+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
10+57.74 грн
25+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.89 грн
75+49.57 грн
150+44.36 грн
525+34.67 грн
1050+31.65 грн
2025+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi ACC04673A0509359B4C149EEE96F4C3B6362D8CA5535EF5BE9A79CB2CB26347C.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
10+68.83 грн
75+41.61 грн
525+38.35 грн
1050+29.81 грн
2475+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.