Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 26.56 грн до 112.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.81 грн
18+41.38 грн
75+38.24 грн
525+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+50.92 грн
1000+46.96 грн
10000+41.87 грн
100000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+50.92 грн
1000+46.96 грн
10000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+50.92 грн
1000+46.96 грн
10000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 44108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
636+50.92 грн
1000+46.96 грн
10000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+53.19 грн
525+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+56.99 грн
525+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+67.89 грн
300+58.76 грн
1050+46.43 грн
2550+42.58 грн
5025+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.15 грн
10+61.41 грн
25+52.99 грн
75+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.92 грн
75+45.66 грн
150+40.86 грн
525+31.94 грн
1050+29.16 грн
2025+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.51 грн
10+49.10 грн
75+38.16 грн
525+31.73 грн
1050+26.83 грн
4950+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.