Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112-1G
MJD112-1G

MJD112-1G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112-1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD112-1G за ціною від 35.85 грн до 116.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+39.56 грн
150+38.75 грн
525+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
на замовлення 223203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 36908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 143469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
100000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 42150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.79 грн
300+60.69 грн
1050+50.65 грн
2550+43.22 грн
5025+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.28 грн
10+43.85 грн
25+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.35 грн
21+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+39.56 грн
150+38.75 грн
525+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
на замовлення 223203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
457+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 36908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 143469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
636+55.54 грн
1000+51.23 грн
10000+45.68 грн
100000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 42150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+69.79 грн
300+60.69 грн
1050+50.65 грн
2550+43.22 грн
5025+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.28 грн
10+43.85 грн
25+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.35 грн
21+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.