MJD112 LGE
Виробник: LGE
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112 LGE
NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Група товару: Транзистори Од. вим: шт.
Інші пропозиції MJD112
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD112 | Виробник : ST | TO-252 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MJD112 | Виробник : On Semiconductor |
 NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| MJD112 | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MJD112 | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar |
товару немає в наявності |