Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
484+30.27 грн
489+29.97 грн
565+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 484 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 19.27 грн до 80.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+32.82 грн
150+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+43.61 грн
576+25.44 грн
2550+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.92 грн
17+25.90 грн
25+24.28 грн
48+20.38 грн
131+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.40 грн
26+30.27 грн
100+29.97 грн
500+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+80.05 грн
10+33.14 грн
75+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
18+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+32.82 грн
150+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+43.61 грн
576+25.44 грн
2550+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.92 грн
17+25.90 грн
25+24.28 грн
48+20.38 грн
131+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.40 грн
26+30.27 грн
100+29.97 грн
500+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.05 грн
10+33.14 грн
75+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.