Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 15.62 грн до 86.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+20.20 грн
630+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+27.47 грн
479+25.57 грн
600+23.85 грн
1200+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.11 грн
10+51.49 грн
25+44.18 грн
47+19.65 грн
129+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.28 грн
75+30.71 грн
150+27.29 грн
525+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.03 грн
100+28.78 грн
500+26.65 грн
1000+19.30 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.71 грн
11+33.24 грн
75+25.58 грн
525+19.32 грн
2475+17.88 грн
4950+16.00 грн
9900+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.33 грн
10+64.16 грн
25+53.01 грн
47+23.58 грн
129+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.08 грн
10+73.63 грн
25+51.82 грн
75+24.40 грн
150+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.