MJD112G ON Semiconductor
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 411+ | 31.65 грн |
| 525+ | 25.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD112G за ціною від 14.53 грн до 94.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD112G |
NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD112G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |