Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
365+38.93 грн
465+30.53 грн
532+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 17.69 грн до 93.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.93 грн
525+43.38 грн
2550+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.27 грн
12+37.57 грн
25+27.91 грн
75+19.92 грн
150+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
75+28.57 грн
150+25.38 грн
525+19.55 грн
1050+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.73 грн
15+55.56 грн
100+23.71 грн
500+20.65 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.06 грн
11+30.76 грн
75+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.99 грн
20+38.93 грн
75+30.53 грн
525+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.46 грн
18+42.21 грн
75+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
13+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
254+55.93 грн
525+43.38 грн
2550+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+64.27 грн
12+37.57 грн
25+27.91 грн
75+19.92 грн
150+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.13 грн
75+28.57 грн
150+25.38 грн
525+19.55 грн
1050+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+69.73 грн
15+55.56 грн
100+23.71 грн
500+20.65 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.06 грн
11+30.76 грн
75+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+76.99 грн
20+38.93 грн
75+30.53 грн
525+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.46 грн
18+42.21 грн
75+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
13+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.