Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
485+29.18 грн
490+28.89 грн
551+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 485 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 20.30 грн до 93.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+29.82 грн
150+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+32.45 грн
441+32.12 грн
507+27.94 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.36 грн
576+24.56 грн
2550+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
16+26.67 грн
25+24.49 грн
75+21.89 грн
150+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.12 грн
26+29.18 грн
100+28.89 грн
500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.15 грн
24+32.34 грн
100+32.02 грн
500+26.85 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
18+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+29.82 грн
150+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+32.45 грн
441+32.12 грн
507+27.94 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
351+40.36 грн
576+24.56 грн
2550+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.41 грн
16+26.67 грн
25+24.49 грн
75+21.89 грн
150+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.12 грн
26+29.18 грн
100+28.89 грн
500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112d.pdf
MJD112G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.15 грн
24+32.34 грн
100+32.02 грн
500+26.85 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.