Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 16.58 грн до 84.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+18.67 грн
525+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
539+22.62 грн
560+21.75 грн
1050+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 539
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+48.14 грн
525+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.39 грн
10+40.14 грн
25+30.20 грн
46+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.54 грн
17+50.88 грн
100+25.93 грн
500+22.02 грн
1000+18.49 грн
5000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.24 грн
75+29.87 грн
150+26.54 грн
525+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.07 грн
10+50.02 грн
25+36.24 грн
46+23.49 грн
126+22.20 грн
525+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.20 грн
10+68.70 грн
25+41.47 грн
75+21.36 грн
525+19.16 грн
4950+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+84.92 грн
10+72.06 грн
25+50.02 грн
75+24.81 грн
525+21.47 грн
1050+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.