Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112G
MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+33.91 грн
525+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 13.60 грн до 94.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
411+33.91 грн
525+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+47.24 грн
525+29.63 грн
2550+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+48.90 грн
403+34.57 грн
525+27.21 грн
1050+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.86 грн
12+37.33 грн
25+27.73 грн
75+19.79 грн
150+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.69 грн
75+28.39 грн
150+25.22 грн
525+19.42 грн
1050+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.29 грн
15+55.21 грн
100+23.56 грн
500+20.52 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.99 грн
11+30.56 грн
75+20.40 грн
525+17.42 грн
1050+15.82 грн
2475+15.20 грн
4950+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+94.35 грн
16+49.22 грн
75+34.80 грн
525+26.41 грн
1050+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G Виробник : On Semiconductor mjd112-d.pdf NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.