Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112RLG
MJD112RLG

MJD112RLG ON Semiconductor

mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112RLG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD112RLG за ціною від 23.98 грн до 118.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112RLG MJD112RLG Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+31.17 грн
3600+27.76 грн
5400+26.62 грн
9000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG MJD112RLG Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 54046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.01 грн
10+67.44 грн
100+44.99 грн
500+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG MJD112RLG Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.85 грн
10+74.37 грн
100+43.09 грн
500+34.03 грн
1000+28.37 грн
1800+26.56 грн
3600+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG mjd112-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG MJD112RLG Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.