
MJD112RLG ON Semiconductor
на замовлення 75600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 30.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112RLG ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD112RLG за ціною від 23.87 грн до 110.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD112RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 79200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD112RLG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 12597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD112RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 79506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD112RLG |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
MJD112RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD112RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD112RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |