MJD112T4

MJD112T4 STMicroelectronics


15688cd00000828.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MJD112T4 за ціною від 13.59 грн до 86.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.70 грн
5000+15.48 грн
10000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.46 грн
5000+16.18 грн
10000+15.21 грн
25000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.91 грн
5000+16.67 грн
10000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000828.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.54 грн
5000+17.26 грн
10000+16.23 грн
25000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+23.06 грн
29+21.18 грн
100+18.03 грн
250+16.60 грн
500+14.36 грн
1000+13.98 грн
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+32.29 грн
484+25.18 грн
489+24.94 грн
586+20.06 грн
1000+15.59 грн
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.64 грн
18+47.59 грн
100+31.29 грн
500+22.17 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000828.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.07 грн
10+41.44 грн
100+27.05 грн
500+19.55 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics mjd112-1849754.pdf Darlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.95 грн
10+48.53 грн
100+27.74 грн
500+21.21 грн
1000+19.30 грн
2500+17.17 грн
5000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 Виробник : STM en.CD00000828.pdf mjd112-d.pdf Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D68694E055E745&compId=MJD112_MJD117.pdf?ci_sign=bf6a6a4abb241bc0c338ababbcd52902cf31c9d2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 MJD112T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D68694E055E745&compId=MJD112_MJD117.pdf?ci_sign=bf6a6a4abb241bc0c338ababbcd52902cf31c9d2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.