MJD117-1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 18.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MJD117-1G за ціною від 20.41 грн до 72.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD117-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 148891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube |
на замовлення 88091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube |
на замовлення 59864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117-1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD117-1G | Виробник : ON |
|
на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MJD117-1G | Виробник : ON |
09+ TQFP |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MJD117-1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MJD117-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD117-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |