Продукція > ONSEMI > MJD117-1G
MJD117-1G

MJD117-1G onsemi

mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 128429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
795+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117-1G onsemi

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJD117-1G за ціною від 26.34 грн до 29.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD117-1G MJD117-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 80391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1198+29.54 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G MJD117-1G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 48038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1198+29.54 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G MJD117-1G onsemi MJD112_D-1773628.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G MJD117-1G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G ON mjd112-d.pdf
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G mjd112d.pdf
MJD117-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 80391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1198+29.54 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G mjd112d.pdf
MJD117-1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 48038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1198+29.54 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 1198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G MJD112_D-1773628.pdf
MJD117-1G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G MJD112-D.PDF
MJD117-1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1G mjd112-d.pdf
Виробник: ON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.