MJD117


mjd112-d.pdf Виробник:
MJD117 Микросхемы
на замовлення 99 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD117 за ціною від 5.40 грн до 10.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD117 MJD117
Код товару: 99164
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON mjd117-im.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+5.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117 MJD117 Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117 MJD117 Виробник : onsemi MJD112_D-1773628.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.