MJD117G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117G onsemi
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD117G за ціною від 11.60 грн до 109.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD117G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
MJD117G Код товару: 79758
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: TO-252 Uке, В: 100 V Uкб, В: 100 V Iк, А: 2 A |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
|
MJD117G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| MJD117G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube |
товару немає в наявності |


