MJD117G

MJD117G

Код товару: 79758
Виробник: ON
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A

datasheet-mgd117g.pdf
В наявності/на замовлення

Технічний опис MJD117G

Ціна MJD117G від 12.56 грн до 62.81 грн

MJD117G
Виробник: ON
darl.PNP 2A 100V 20W MJD117T4G, MJD117RLG, MJD117T4, MJD117TF, MJD117G, MJD117-1G Trans. MJE117 TO252 TMJD117
кількість в упаковці: 75 шт
mjd112-d.pdf
на замовлення 300 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+ 12.56 грн
MJD117G
MJD117G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
2477mjd112-d.pdf
на замовлення 2765 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
12+ 24.07 грн
223+ 21.94 грн
743+ 20.88 грн
1604+ 17.51 грн
MJD117G
MJD117G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
MJD112_D-2315625.pdf
на замовлення 673 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
2+ 62.81 грн
10+ 54.56 грн
75+ 36.36 грн
525+ 28.69 грн
MJD117G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
mjd112-d.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
MJD117G
MJD117G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
mjd112-d.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
MJD117G
MJD117G
Виробник: ON Semiconductor
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
MJD112_D-2315625.pdf
на замовлення 3043 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)