MJD117G

MJD117G ON Semiconductor


mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD117G за ціною від 19.77 грн до 66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD117G MJD117G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+49.3 грн
13+ 46.07 грн
75+ 34.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD117G MJD117G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.59 грн
75+ 43.37 грн
150+ 34.37 грн
525+ 27.34 грн
1050+ 22.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD117G MJD117G Виробник : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.03 грн
10+ 54.78 грн
75+ 33.21 грн
525+ 28.13 грн
1050+ 22.93 грн
2400+ 21.54 грн
4800+ 20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD117G MJD117G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66 грн
20+ 37.25 грн
100+ 34.44 грн
500+ 29.31 грн
1000+ 19.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD117G MJD117G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD117G MJD117G
Код товару: 79758
Виробник : ON datasheet-mgd117g.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
товар відсутній
MJD117G MJD117G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній