MJD117T4 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.03 грн |
| 5000+ | 18.46 грн |
| 7500+ | 17.51 грн |
| 12500+ | 16.73 грн |
| 17500+ | 15.34 грн |
| 25000+ | 14.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD117T4 за ціною від 14.57 грн до 81.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD117T4 | STMicroelectronics |
 Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD117T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD117T4 | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Power dissipation: 20W Type of transistor: PNP Current gain: 200...12000 Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 25MHz Collector current: 2A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington |
на замовлення 3655 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD117T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD117T4 | STMicroelectronics |
Darlington Transistors PNP Power Darlington |
на замовлення 9267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
MJD117T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.03 грн |
| 5000+ | 18.46 грн |
| 7500+ | 17.52 грн |
| 12500+ | 16.73 грн |
| 17500+ | 15.34 грн |
| 25000+ | 14.57 грн |
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.82 грн |
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Power dissipation: 20W
Type of transistor: PNP
Current gain: 200...12000
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 25MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Power dissipation: 20W
Type of transistor: PNP
Current gain: 200...12000
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 25MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 76.58 грн |
| 10+ | 44.36 грн |
| 40+ | 34.03 грн |
| 100+ | 29.04 грн |
| 500+ | 22.60 грн |
| 1000+ | 20.57 грн |
| 2500+ | 18.28 грн |
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.49 грн |
| 10+ | 49.06 грн |
| 100+ | 32.20 грн |
| 500+ | 23.39 грн |
| 1000+ | 21.19 грн |
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Darlington Transistors PNP Power Darlington
Darlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD117T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)