Продукція > ONSEMI > MJD117T4G
MJD117T4G

MJD117T4G onsemi

mjd112-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.83 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 1.75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD117T4G за ціною від 23.79 грн до 90.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD117T4G MJD117T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.90 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.90 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.34 грн
25+30.27 грн
100+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.25 грн
500+40.33 грн
1000+39.53 грн
2500+35.09 грн
5000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+54.47 грн
100+35.92 грн
500+26.20 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112-d.pdf MJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112d.pdf
MJD117T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.90 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112d.pdf
MJD117T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.90 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112d.pdf
MJD117T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.34 грн
25+30.27 грн
100+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112d.pdf
MJD117T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+48.25 грн
500+40.33 грн
1000+39.53 грн
2500+35.09 грн
5000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112-d.pdf
MJD117T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.19 грн
10+54.47 грн
100+35.92 грн
500+26.20 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112-d.pdf
MJD117T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112d.pdf
MJD117T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G mjd112-d.pdf
MJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.