MJD117T4G ON Semiconductor
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD117T4G за ціною від 17.36 грн до 103.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD117T4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJD117T4G********* |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD117T4G |
MJD117T4G Диоды |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
MJD117T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD117T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |