MJD122-1 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.93 грн |
| 100+ | 38.53 грн |
| 500+ | 34.25 грн |
| 1000+ | 30.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122-1 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 20W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD122-1 за ціною від 30.09 грн до 120.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD122-1 |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |