Продукція > STMICROELECTRONICS > MJD122-1
MJD122-1

MJD122-1 STMicroelectronics

MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.45 грн
75+43.45 грн
150+38.81 грн
525+30.23 грн
1050+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122-1 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 20W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A.

Інші пропозиції MJD122-1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD122-1 MJD122-1 STMICROELECTRONICS SGSTS20619-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1 MJD122-1 STMicroelectronics MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1 MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1 SGSTS20619-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MJD122-1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1 MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf
MJD122-1
Виробник: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1 MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.