MJD122-1 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.91 грн |
| 75+ | 49.48 грн |
| 150+ | 44.24 грн |
| 525+ | 34.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 20W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD122-1 за ціною від 26.35 грн до 127.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD122-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 20W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJD122-1 |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
MJD122-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |