Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD122G за ціною від 24.03 грн до 118.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD122G | Виробник : On Semiconductor |
 NPN Darl. DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 6750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 300 Frequency: 4MHz |
товару немає в наявності |