 
MJD122G ON Semiconductor
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 381+ | 32.56 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MJD122G за ціною від 29.48 грн до 117.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 5222 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 525 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 7722 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 7722 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 545 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2475 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz | на замовлення 126 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 126 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : onsemi |  Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN | на замовлення 8483 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4792 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJD122G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 4035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| MJD122G | Виробник : On Semiconductor |  NPN Darl. DPAK | на замовлення 400 шт:термін постачання 5 дні (днів) | ||||||||||||||||
| MJD122G Код товару: 165785 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності |