Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD122G

MJD122G

mjd122-d.pdf
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD122G за ціною від 29.28 грн до 139.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD122G MJD122G On Semiconductor MJD122-D.pdf NPN Darl. DPAK Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.45 грн
377+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+63.90 грн
300+48.46 грн
1050+46.62 грн
2550+43.74 грн
5025+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+84.51 грн
10+62.34 грн
25+52.80 грн
50+46.86 грн
75+43.76 грн
150+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
75+46.31 грн
150+41.46 грн
525+32.41 грн
1050+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.56 грн
17+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.07 грн
18+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.43 грн
17+44.71 грн
75+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 17126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122-D.pdf
MJD122G
Виробник: On Semiconductor
NPN Darl. DPAK Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
318+44.45 грн
377+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+63.90 грн
300+48.46 грн
1050+46.62 грн
2550+43.74 грн
5025+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122_MJD127.PDF
MJD122G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+84.51 грн
10+62.34 грн
25+52.80 грн
50+46.86 грн
75+43.76 грн
150+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
75+46.31 грн
150+41.46 грн
525+32.41 грн
1050+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.56 грн
17+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.07 грн
18+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.43 грн
17+44.71 грн
75+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD122G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 17126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.