MJD122G ON Semiconductor
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1650+ | 27.46 грн |
2700+ | 27.19 грн |
5400+ | 27.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції MJD122G за ціною від 23.4 грн до 70.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 11517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 11508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 11517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX DC-Kollektorstrom: 8A Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Verlustleistung Pd: 1.75W Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 231 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 5320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ON-Semicoductor |
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 299 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W; |
на замовлення 397 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD122G | Виробник : On Semiconductor | NPN Darl. DPAK |
на замовлення 225 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD122G Код товару: 165785 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|