MJD122G

MJD122G ON Semiconductor


mjd122-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD122G за ціною від 25.86 грн до 117.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+36.36 грн
337+35.99 грн
340+35.63 грн
358+32.64 грн
525+29.91 грн
1050+27.00 грн
5400+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+39.12 грн
25+38.73 грн
75+36.96 грн
300+32.51 грн
525+30.89 грн
1050+29.05 грн
5400+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+42.72 грн
357+34.00 грн
525+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+45.77 грн
300+36.42 грн
525+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+54.52 грн
2100+49.82 грн
3150+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.36 грн
300+47.06 грн
1050+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.56 грн
10+41.84 грн
25+39.45 грн
75+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : onsemi B1C2C7E857E61E729DCA2078D1F0EA0218E84D80016D94B1CCB6D36AE10CC5A1.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 13329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.19 грн
10+62.47 грн
75+33.59 грн
525+30.99 грн
1050+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.87 грн
13+70.64 грн
100+43.60 грн
500+38.97 грн
1000+34.50 грн
5000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.27 грн
10+52.14 грн
25+47.34 грн
75+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G MJD122G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.53 грн
75+50.30 грн
150+45.03 грн
525+35.20 грн
1050+32.15 грн
2025+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G Виробник : On Semiconductor mjd122-d.pdf NPN Darl. DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар

mjd122-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.