
MJD122G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 31.57 грн |
100+ | 30.98 грн |
500+ | 28.14 грн |
1000+ | 25.47 грн |
5000+ | 24.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD122G за ціною від 28.23 грн до 115.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD122G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD122G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 4035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJD122G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 494 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD122G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJD122G Код товару: 165785
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|