на замовлення 1695 шт:
термін постачання 684-693 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.47 грн |
| 10+ | 46.37 грн |
| 100+ | 30.89 грн |
| 500+ | 24.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD122RLG onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD122RLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD122RLG |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| MJD122RLG | Виробник : ON Semiconductor |
 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
товар відсутній |
||
 |
MJD122RLG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |