MJD127RLG onsemi


MJD122-D.PDF
Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.98 грн
10+64.58 грн
100+37.09 грн
500+29.13 грн
1000+24.85 грн
1800+21.32 грн
3600+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD127RLG onsemi

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD127RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD127RLG MJD127RLG onsemi MJD122-D.PDF Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG ON Semiconductor mjd122jp-d.pdf 8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG MJD122-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG mjd122jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.