MJD127RLG

MJD127RLG onsemi


MJD122_D-1101608.pdf Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.68 грн
10+54.18 грн
100+32.15 грн
500+26.86 грн
1000+22.90 грн
1800+20.62 грн
3600+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD127RLG onsemi

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD127RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD127RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG Виробник : ON Semiconductor mjd122jp-d.pdf 8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG MJD127RLG Виробник : onsemi Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.