MJD148-QJ

MJD148-QJ NEXPERIA


3388615.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.42 грн
500+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD148-QJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD148-QJ за ціною від 8.61 грн до 39.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD148-QJ MJD148-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD148-Q.pdf Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.05 грн
11+ 25.73 грн
100+ 17.91 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148-QJ MJD148-QJ Виробник : Nexperia MJD148_Q-2498732.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.04 грн
11+ 28.64 грн
100+ 17.29 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.02 грн
2500+ 9.35 грн
10000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD148-QJ MJD148-QJ Виробник : NEXPERIA 3388615.pdf Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+39.92 грн
23+ 33.1 грн
100+ 21.42 грн
500+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJD148-QJ MJD148-QJ Виробник : Nexperia mjd148-q.pdf Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD148-QJ Виробник : NEXPERIA mjd148-q.pdf Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD148-QJ MJD148-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD148-Q.pdf Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній