MJD200G onsemi


MJD200_D-2315968.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.25 грн
75+18.62 грн
525+17.12 грн
1050+15.47 грн
2700+14.56 грн
5400+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD200G onsemi

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції MJD200G за ціною від 13.54 грн до 71.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD200G MJD200G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.26 грн
10+42.77 грн
100+27.95 грн
500+20.21 грн
1000+18.27 грн
2000+16.64 грн
5000+14.62 грн
10000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.07 грн
13+60.00 грн
100+46.01 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200G mjd200-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.26 грн
10+42.77 грн
100+27.95 грн
500+20.21 грн
1000+18.27 грн
2000+16.64 грн
5000+14.62 грн
10000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200G mjd200-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.07 грн
13+60.00 грн
100+46.01 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.