Продукція > ONSEMI > MJD200G
MJD200G

MJD200G onsemi

MJD200_D-2315968.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.04 грн
12+28.82 грн
75+17.17 грн
525+15.78 грн
1050+14.26 грн
2700+13.43 грн
5400+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD200G onsemi

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції MJD200G за ціною від 13.32 грн до 70.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD200G MJD200G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.09 грн
10+42.07 грн
100+27.49 грн
500+19.88 грн
1000+17.97 грн
2000+16.36 грн
5000+14.38 грн
10000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200G Виробник : ON mjd200-d.pdf 07+;
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.