на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.06 грн |
| 12+ | 31.72 грн |
| 75+ | 18.89 грн |
| 525+ | 17.37 грн |
| 1050+ | 15.69 грн |
| 2700+ | 14.78 грн |
| 5400+ | 14.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD200G onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.
Інші пропозиції MJD200G за ціною від 14.10 грн до 74.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD200G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 25V 5A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 23020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD200G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| MJD200G | Виробник : ON |
07+; |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |