
MJD200T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 22.51 грн |
500+ | 17.73 грн |
1000+ | 15.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD200T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD200T4G за ціною від 11.86 грн до 64.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD200T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD200T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD200T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD200T4G************* |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MJD200T4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD200T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD200T4G | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD200T4G Код товару: 132801
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MJD200T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
товару немає в наявності |