Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD200T4G за ціною від 13.41 грн до 67.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD200T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAKPower - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD200T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJD200T4G************* |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MJD200T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD200T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.27 грн |
| 10+ | 36.61 грн |
| 100+ | 23.76 грн |
| 500+ | 17.12 грн |
| MJD200T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.29 грн |
| 10+ | 41.28 грн |
| 100+ | 23.39 грн |
| 500+ | 17.88 грн |
| 1000+ | 16.13 грн |
| 2500+ | 13.41 грн |
| MJD200T4G************* |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MJD200T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




