Продукція > ONSEMI > MJD200T4G
MJD200T4G

MJD200T4G onsemi

mjd200-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD200T4G onsemi

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції MJD200T4G за ціною від 11.32 грн до 44.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD200T4G MJD200T4G Виробник : onsemi MJD200_D-2315968.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.83 грн
11+ 29.56 грн
100+ 20.84 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 13.85 грн
2500+ 12.05 грн
10000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJD200T4G MJD200T4G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.66 грн
10+ 36.7 грн
100+ 27.41 грн
500+ 20.21 грн
1000+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD200T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4G Виробник : ON mjd200-d.pdf 08+ QFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4G Виробник : ST mjd200-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD200T4G
Код товару: 132801 		mjd200-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній