MJD210G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.65 грн |
| 75+ | 27.10 грн |
| 150+ | 24.36 грн |
| 525+ | 19.12 грн |
| 1050+ | 17.47 грн |
| 2025+ | 16.13 грн |
| 5025+ | 14.35 грн |
| 10050+ | 13.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD210G onsemi
Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD210G за ціною від 14.89 грн до 78.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD210G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 5A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 45...180 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 65MHz |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD210G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD210G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 5A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 45...180 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 65MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD210G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD210G Код товару: 62981
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
MJD210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |




