Продукція > ONSEMI > MJD210G
MJD210G

MJD210G onsemi

mjd200-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.77 грн
75+27.15 грн
150+24.41 грн
525+19.16 грн
1050+17.50 грн
2025+16.16 грн
5025+14.38 грн
10050+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD210G onsemi

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD210G за ціною від 14.92 грн до 78.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD210G MJD210G Виробник : onsemi MJD200_D-1811545.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+70.83 грн
75+24.48 грн
525+22.88 грн
1050+16.07 грн
2700+15.07 грн
5400+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G MJD210G Виробник : ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.28 грн
12+76.99 грн
100+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G Виробник : ONSEMI mjd200-d.pdf MJD210G PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.62 грн
45+24.96 грн
124+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G MJD210G
Код товару: 62981
Додати до обраних Обраний товар

mjd200-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G MJD210G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.