Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD210G
MJD210G

MJD210G

mjd200-d.pdf
Код товару: 62981
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD210G за ціною від 12.77 грн до 55.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD210G MJD210G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
75+25.66 грн
150+23.07 грн
525+18.10 грн
1050+16.54 грн
2025+15.27 грн
5025+13.59 грн
10050+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G MJD210G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G MJD210G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G mjd200-d.pdf
MJD210G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.53 грн
75+25.66 грн
150+23.07 грн
525+18.10 грн
1050+16.54 грн
2025+15.27 грн
5025+13.59 грн
10050+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G mjd200-d.pdf
MJD210G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G mjd200-d.pdf
MJD210G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.