
MJD210RLG ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 14.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD210RLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJD210RLG за ціною від 11.78 грн до 57.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD210RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 7841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MJD210RLG | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MJD210RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |