Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD243G

MJD243G

mjd243-d.pdf
Код товару: 133000
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD243G за ціною від 18.70 грн до 93.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+45.38 грн
525+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.38 грн
525+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.85 грн
75+39.31 грн
150+35.04 грн
525+27.15 грн
1050+24.67 грн
2025+22.69 грн
5025+20.09 грн
10050+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243G onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243G ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G mjd243-d.pdf
MJD243G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+45.38 грн
525+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G mjd243-d.pdf
MJD243G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
311+45.38 грн
525+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G mjd243-d.pdf
MJD243G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
311+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G mjd243-d.pdf
MJD243G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.85 грн
75+39.31 грн
150+35.04 грн
525+27.15 грн
1050+24.67 грн
2025+22.69 грн
5025+20.09 грн
10050+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G MJD243-D.PDF
MJD243G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G 2353897.pdf
MJD243G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.