Продукція > ONSEMI > MJD253-1G
MJD253-1G

MJD253-1G onsemi

MJD243_D-2315743.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.62 грн
10+ 38.32 грн
75+ 25.83 грн
1050+ 19.98 грн
2550+ 13.93 грн
11550+ 12.16 грн
26400+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD253-1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: I-PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 27.98 грн до 48.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD253-1G MJD253-1G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.34 грн
10+ 40.46 грн
100+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD253-1G
Код товару: 133001 		mjd243-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJD253-1G MJD253-1G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній