на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.66 грн |
| 10+ | 43.39 грн |
| 75+ | 29.24 грн |
| 1050+ | 22.62 грн |
| 2550+ | 15.78 грн |
| 11550+ | 13.77 грн |
| 26400+ | 13.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD253-1G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: IPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.
Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 30.08 грн до 81.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD253-1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 4A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MJD253-1G Код товару: 133001
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |