Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 12.14 грн до 78.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253-1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD253-1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD253-1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD253-1G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, IPAK (длинные выв.) (компл. MJD243-1) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |