Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 12.22 грн до 79.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD253-1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD253-1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJD253-1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.47 грн |
| 10+ | 40.71 грн |
| 75+ | 27.44 грн |
| 1050+ | 21.23 грн |
| 2550+ | 14.80 грн |
| 11550+ | 12.92 грн |
| 26400+ | 12.22 грн |
| MJD253-1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.34 грн |
| 75+ | 32.99 грн |
| 150+ | 29.36 грн |



