MJD253-1G


mjd243-d.pdf
Код товару: 133001
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD253-1G за ціною від 21.97 грн до 80.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD253-1G MJD253-1G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD253-1G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD253-1G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD253-1G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD253-1G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
75+33.56 грн
150+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD253-1G onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G mjd243-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G mjd243-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G mjd243-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G mjd243-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1599+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.82 грн
75+33.56 грн
150+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G MJD243_D-2315743.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.