MJD2873Q-13 Diodes Incorporated


MJD2873Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.81 грн
5000+11.27 грн
7500+10.73 грн
12500+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD2873Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 2A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.45 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MJD2873Q-13 за ціною від 13.19 грн до 54.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD2873Q-13 MJD2873Q-13 Diodes Incorporated MJD2873Q.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
10+31.94 грн
100+20.56 грн
500+14.68 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13 MJD2873Q-13 Diodes Incorporated MJD2873Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13 MJD2873Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.24 грн
10+31.94 грн
100+20.56 грн
500+14.68 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13 MJD2873Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.