Продукція > ONSEMI > MJD2955-001
MJD2955-001

MJD2955-001 onsemi


mjd2955-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 2219
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD2955-001 onsemi

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: I-PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD2955-001 за ціною від 9.89 грн до 9.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD2955-001 Виробник : ONSEMI ONSMS10229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2700+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 2700
MJD2955-001 MJD2955-001 Виробник : onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній