Технічний опис MJD2955G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD2955G за ціною від 23.27 грн до 94.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 20...100 Kind of package: tube Case: DPAK Frequency: 2MHz Collector current: 10A |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.47 грн |
| 22+ | 35.36 грн |
| 100+ | 34.31 грн |
| 500+ | 29.75 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 46.64 грн |
| 375+ | 42.61 грн |
| 750+ | 39.65 грн |
| 1125+ | 36.06 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 289+ | 48.84 грн |
| 306+ | 46.19 грн |
| 500+ | 38.28 грн |
| 1000+ | 32.70 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 75.25 грн |
| 16+ | 48.84 грн |
| 100+ | 46.19 грн |
| 500+ | 36.91 грн |
| 1000+ | 30.28 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: tube
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: tube
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 88.43 грн |
| 11+ | 39.02 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.94 грн |
| 75+ | 40.00 грн |
| 150+ | 35.71 грн |
| 525+ | 27.76 грн |
| 1050+ | 25.27 грн |
| 2025+ | 23.27 грн |






