MJD2955G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
31 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD2955G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD2955G за ціною від 22.45 грн до 100.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 20...100 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 2MHz |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD2955G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP |
на замовлення 495 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.66 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 480+ | 29.66 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.11 грн |
| 75+ | 41.49 грн |
| 150+ | 41.07 грн |
| 525+ | 35.24 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 170+ | 84.11 грн |
| 344+ | 41.49 грн |
| 347+ | 41.07 грн |
| 525+ | 35.24 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.54 грн |
| 12+ | 36.81 грн |
| MJD2955G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 75+ | 41.51 грн |
| 150+ | 37.05 грн |






