Продукція > ON > MJD2955-T4

MJD2955-T4 ON


Виробник: ON
09+
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD2955-T4 ON

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD2955-T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD2955T4 MJD2955T4 onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 MJD2955T4 STMicroelectronics en.CD00000830.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 MJD2955T4 STMicroelectronics en.CD00000830.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 Diodes Incorporated mjd2955-d.pdf en.CD00000830.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 MJD2955T4 onsemi MJD2955_D-2315918.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 MJD2955T4 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000830-1204447.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 mjd2955-d.pdf
MJD2955T4
Виробник: onsemi
Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 en.CD00000830.pdf
MJD2955T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 en.CD00000830.pdf
MJD2955T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 mjd2955-d.pdf en.CD00000830.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 MJD2955_D-2315918.pdf
MJD2955T4
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4 stmicroelectronics_cd00000830-1204447.pdf
MJD2955T4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.