MJD2955T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD2955T4G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MJD2955T4G за ціною від 15.93 грн до 74.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD2955T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJD2955T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJD2955T4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 109930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD2955T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.57 грн |
| 10+ | 48.39 грн |
| 100+ | 28.69 грн |
| 500+ | 23.26 грн |
| 1000+ | 20.37 грн |
| 2500+ | 15.93 грн |
| MJD2955T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 45.05 грн |
| 100+ | 29.50 грн |
| 500+ | 21.43 грн |
| 1000+ | 19.41 грн |
| MJD2955T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



