Продукція > ONSEMI > MJD2955T4G
MJD2955T4G

MJD2955T4G onsemi

mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.11 грн
5000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD2955T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD2955T4G за ціною від 17.48 грн до 85.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
10000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
10000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.23 грн
3000+29.42 грн
5000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.67 грн
10+47.54 грн
100+31.14 грн
500+22.61 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G onsemi mjd2955-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 12166 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+85.15 грн
10+49.12 грн
100+29.18 грн
500+22.16 грн
1000+20.40 грн
2500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ONSEMI ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ONSEMI ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
10000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
10000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1164+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+32.23 грн
3000+29.42 грн
5000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.67 грн
10+47.54 грн
100+31.14 грн
500+22.61 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 12166 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.15 грн
10+49.12 грн
100+29.18 грн
500+22.16 грн
1000+20.40 грн
2500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.