Продукція > ONSEMI > MJD2955T4G
MJD2955T4G

MJD2955T4G onsemi

mjd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.90 грн
5000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD2955T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD2955T4G за ціною від 20.41 грн до 78.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.51 грн
10+47.36 грн
100+31.03 грн
500+22.53 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G onsemi MJD2955_D-1625789.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ONSEMI ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955T4G ONSEMI ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1389+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
MJD2955T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.51 грн
10+47.36 грн
100+31.03 грн
500+22.53 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G MJD2955_D-1625789.pdf
MJD2955T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ONSM-S-A0013299445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.