Продукція > DIODES INCORPORATED > MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Incorporated

ds31625.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.63 грн
5000+11.12 грн
7500+10.59 грн
12500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31C-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD31C-13 за ціною від 11.27 грн до 52.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.20 грн
5000+15.72 грн
7500+14.98 грн
12500+13.63 грн
17500+12.17 грн
25000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.25 грн
5000+15.77 грн
7500+15.02 грн
12500+13.67 грн
17500+12.21 грн
25000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
12500+14.22 грн
17500+12.70 грн
25000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 14864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+31.42 грн
100+20.23 грн
500+14.46 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 7720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.20 грн
5000+15.72 грн
7500+14.98 грн
12500+13.63 грн
17500+12.17 грн
25000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.25 грн
5000+15.77 грн
7500+15.02 грн
12500+13.67 грн
17500+12.21 грн
25000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
12500+14.22 грн
17500+12.70 грн
25000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.94 грн
5000+16.41 грн
7500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 14864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+31.42 грн
100+20.23 грн
500+14.46 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 7720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.