Продукція > DIODES INC > MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Inc

450100156535137ds31625.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31C-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJD31C-13 за ціною від 8.63 грн до 54.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.49 грн
5000+12.21 грн
7500+11.78 грн
12500+10.72 грн
17500+9.58 грн
25000+8.87 грн
62500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.52 грн
5000+13.15 грн
7500+12.69 грн
12500+11.55 грн
17500+10.32 грн
25000+9.55 грн
62500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.25 грн
500+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.42 грн
14+25.24 грн
100+15.05 грн
500+13.80 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.09 грн
28+29.72 грн
100+20.25 грн
500+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+32.72 грн
100+21.06 грн
500+15.05 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.