Продукція > DIODES ZETEX > MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Zetex

450100156535137ds31625.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.49 грн
5000+7.27 грн
7500+7.06 грн
12500+6.74 грн
17500+6.17 грн
25000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31C-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD31C-13 за ціною від 6.13 грн до 61.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Inc 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.03 грн
5000+7.79 грн
7500+7.56 грн
12500+7.22 грн
17500+6.61 грн
25000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.58 грн
5000+11.07 грн
7500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.14 грн
11+31.24 грн
100+20.13 грн
500+14.39 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.58 грн
11+34.76 грн
100+19.66 грн
500+15.00 грн
1000+13.39 грн
2500+11.40 грн
5000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.11 грн
23+37.85 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.