MJD31C-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.92 грн |
| 5000+ | 10.49 грн |
| 7500+ | 9.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31C-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD31C-13 за ціною від 8.33 грн до 58.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD31C-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 9276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT |
на замовлення 3673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD31C-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJD31C-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Pulsed collector current: 5A Quantity in set/package: 2500pcs. |
товару немає в наявності |