MJD31CAJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.27 грн |
| 500+ | 16.74 грн |
| 1000+ | 13.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CAJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD31CAJ за ціною від 10.03 грн до 51.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31CAJ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor |
на замовлення 14012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CAJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CAJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CAJ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD31CAJ | Виробник : NEXPERIA |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD31CAJ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD31CAJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |