MJD31CEITU

MJD31CEITU Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
649+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CEITU Fairchild Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252, Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MJD31CEITU за ціною від 36.17 грн до 39.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CEITU Виробник : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITU Виробник : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITU Виробник : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITU Виробник : onsemi MJD31C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.