MJD31CH-QJ

MJD31CH-QJ Nexperia


mjd31ch-q.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
860+37.64 грн
1000+34.71 грн
10000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 860
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CH-QJ Nexperia

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.6 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MJD31CH-QJ за ціною від 24.57 грн до 67.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.61 грн
10+40.50 грн
50+29.69 грн
100+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Виробник : Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN H I PWR BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.