MJD31CHQ-13

MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated


MJD31CHQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.45 W, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MJD31CHQ-13 за ціною від 11.17 грн до 61.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Виробник : Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.14 грн
10+34.04 грн
100+22.03 грн
500+15.80 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Виробник : Diodes Incorporated MJD31CHQ-3103807.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T and R 2.5K
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.36 грн
10+37.58 грн
100+21.20 грн
500+16.22 грн
1000+14.64 грн
2500+12.75 грн
5000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Виробник : Diodes Zetex mjd31chq.pdf 100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13 Виробник : Diodes Inc mjd31chq.pdf 100V NPN Medium Power Transistor In To252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.