на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 548+ | 11.13 грн |
| 1000+ | 10.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD31CJ Nexperia
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції MJD31CJ за ціною від 7.55 грн до 49.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD31CJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 100V 3A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CJ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CJ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CJ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD31CJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD31CJ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor |
на замовлення 9817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD31CJ | Виробник : NXP |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MJD31CJ | Виробник : NEXPERIA |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor |
товару немає в наявності |