MJD31CJ Nexperia USA Inc.


MJD31C.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD31CJ за ціною від 15.07 грн до 72.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+23.42 грн
2500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.67 грн
500+21.86 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.84 грн
10+37.07 грн
100+23.71 грн
500+16.82 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.26 грн
50+41.38 грн
100+32.67 грн
500+21.86 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ NXP MJD31C.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ mjd31c.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
404+23.42 грн
2500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ mjd31c.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
606+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ 3228228.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.67 грн
500+21.86 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31C.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.84 грн
10+37.07 грн
100+23.71 грн
500+16.82 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ 3228228.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+72.26 грн
50+41.38 грн
100+32.67 грн
500+21.86 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJ MJD31C.pdf
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.